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元件参数资料
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参数目录38061
> VNS1NV04DPTR-E MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
型号:
VNS1NV04DPTR-E
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
VNS1NV04DPTR-E PDF
其它有关文件
VNS1NV04DP-E View All Specifications
标准包装
2,500
系列
OMNIFET II™, VIPower™
类型
低端
输入类型
非反相
输出数
2
导通状态电阻
250 毫欧
电流 - 输出 / 通道
1.7A
电流 - 峰值输出
3.5A
电源电压
-
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
SO-8
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-11722-2
VNS1NV04DPTR-E-ND
查看VNS1NV04DPTR-E代理商
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